Компанія Samsung Electronics повідомила, що розпочала масове виробництво 286-шарових мікросхем флеш-пам’яті NAND зі збільшеною ємністю для зберігання даних, пише Nikkei Asia.

Пам’ять 3D NAND дев’ятого покоління буде використовуватися в центрах обробки даних штучного інтелекту та смартфонах. Вважається, що основними клієнтами будуть великі американські технологічні компанії, такі як Google та Apple, а Samsung вже відвантажує зразки.

У порівнянні з 3D NAND восьмого покоління, яка містить 236 шарів, нове покоління збільшує бітову щільність на 50%. Це підвищує швидкість введення і виведення даних на 33% і знижує енергоспоживання на 10%.

Поширення генеративного ШІ зумовило попит на пам’ять NAND більшої ємності через величезні обсяги даних, необхідні для машинного навчання та обробки. Виробники мікросхем змагаються за збільшення обсягу пам’яті шляхом вертикального розміщення елементів пам’яті.

Samsung також заявила, що розробляє продукт 3D NAND 10-го покоління з більш ніж 400 шарами. Інша південнокорейська компанія – SK Hynix – заявила, що вже серійно виробляє 238-шарову NAND-пам’ять, тобто 8-го покоління.