Компанія Samsung опублікувала спеціальний звіт про свої нові досягнення у технології магніторезистивної пам’яті з довільним доступом (MRAM). Відділи досліджень та розробок корейської корпорації знайшли ефективний спосіб виконання обчислень у самій MRAM. Це може радикально змінити уявлення про організацію та структуру обчислювальних систем.

У класичній архітектурі процесора обчислення виконуються у центральному процесорі, а дані зберігаються у внутрішній пам’яті, розділеній на ОЗУ та ПЗУ. Процесор та пам’ять з’єднані через системну шину, що включає шину адреси, шину даних та шину управління.

Ідея вчених полягає в тому, щоб виконувати як зберігання даних, так і обчислення саме у MRAM, що дозволить підвищити продуктивність та значно знизити енергоспоживання.

Samsung Scientists
Вчені Samsung: Donhee Ham, Seungchul Jung та Sang Joon Kim

MRAM вже кілька років виробляється провідними компаніями, включаючи Intel, Samsung та GlobalFoundries. MRAM має продуктивність DRAM і енергонезалежність NAND і може зберігати дані протягом багатьох років без живлення.

Технологія також має деякі недоліки, головним з яких є низька щільність та неможливість створення чіпів великої місткості. До того ж MRAM має набагато менший опір, ніж інші технології. Але Samsung вдалося поставити недолік MRAM – низький опір – у центр швидких обчислень, використовуючи концепцію “суми опорів”.

Експерти змогли створити ШІ для класифікації зображень на основі чіпів MRAM і досягти 98% точності для рукописних цифр та 93% для людських облич. У майбутньому MRAM використовуватиметься для створення чіпів для алгоритмів наступного покоління з елементами ШІ з низьким енергоспоживанням.