У сучасних процесорах та чіпсетах транзистори розташовуються на кремнієвій пластині у горизонтальній площині. Це накладає певні обмеження на можливості сучасної електроніки, тому деякі компаніїї замислились щодо інших варіантів розміщення транзисторів.

Компанії Samsung та IBM представили свою нову спільну розробку, яка дозволяє вертикальне розміщення транзисторів у чіпах. Технологія, яку назвали VTFET — Vertical Transport Field Effect Transistors — дозволить значно підвищити продуктивність, або знизити енергоспоживання мікросхем в порівнянні з традиційними аналогами порівнянного розміру.

За оцінками розробників, це дозволить створювати чіпи, які або працюють вдвічі швидше, або споживають на 85% менше електроенергії, ніж аналогічні напівпровідники, створені за технологією FinFET.

По-перше, оминається багато обмежень, що накладаються нинішніми технологіями, заснованими на законі Мура. По-друге, новий варіант конструкції призводить до зниження електричних втрат за рахунок ефективнішого перенаправлення енергії.

На думку IBM і Samsung, свого часу використання такого технологічного процесу дозволить випустити смартфони, що працюватимуть тиждень без підзарядки та/або виконуватимуть енергоємні завдання, включаючи криптомайнінг, з меншим енергоспоживанням та меншими збитками для навколишнього середовища.

На жаль, компанії не повідомили навіть приблизних строків появи комерційних рішень на основі VTFET.

Нагадаємо, раніше ми повідомляли, що компанія Samsung запустила в Україні офіційний інтернет-магазин.